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型号 SI7938DP-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET 2N-CH 40V 60A 8SOIC
SI7938DP-T1-GE3 PDF
代理商 SI7938DP-T1-GE3
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 2 个 N 沟道（双）
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 60A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 5.8 毫欧 @ 18.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2300pF @ 20V
功率 - 最大 46W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? SO-8 双
供应商设备封装 PowerPAK? SO-8 Dual
包装 剪切带 (CT)
其它名称 SI7938DP-T1-GE3CT
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